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          真空滅弧室如何提高內部絕緣水平

          本文作者:大禹漢光 發布時間:2015-10-15

          真空滅弧室如何提高內部絕緣水平

            目前,真空滅弧室有小型化的趨勢,而這也突出了電場的分布的重要性,真空滅弧室內部電氣間隙縮小后仍需承受標準所規定的絕緣電壓,這就需要對內部電場進行優化分析與測算,借助計算機分析軟件對開滅弧室部結構進行了多次電場計算,對內部各部件結構進行多次修改設計,優化后的內部電場分布均勻,降低了瓷殼內表面沿面的電場強度及三相界面的電場強度,消除了主屏蔽罩兩端口處的尖峰電場,改善了屏蔽罩的均壓作用。

            另外還對主屏蔽罩與導電桿之間的間隙進行了改進。改進后觸頭間隙中的電場強度有了一定程度的降低,進一步緩解了主間隙間的電場應力,提高了介質恢復速度。

            通過軟件的分析不斷的對內部各零部件尺寸、形狀、位置等進行調整,最終的結果是使滅弧室內部各處電場強度盡量分布均勻,消除各處可能出現的尖端電場,以有效地降低瓷殼內表面沿面的電場強度及三相界面的電場強度,從而提高產品的絕緣強度及弧后介質恢復速度。優化設計后盡可能使得真空滅弧室內中間屏蔽罩上的電位為50%,動靜端兩端對稱分布,從圖中可見電場分布基本均勻,三相界面處的得到了有效的屏蔽,無電場集中現象,這就有效的保證了體積減小后對電壓的耐受能力。

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